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三星電子在第三代半導體領域的布局正加速從“規(guī)劃”走向“量產(chǎn)”。據(jù)行業(yè)消息，三星首條8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工產(chǎn)線已準備就緒，預計最快在2026年第二季度投入運營。與此同時，其碳化硅（SiC）功率半導體業(yè)務也計劃在今年晚些時候推出樣品，形成GaN與SiC“雙輪驅動”的功率器件版圖。

此次即將投產(chǎn)的GaN產(chǎn)線是三星功率半導體戰(zhàn)略的關鍵一環(huán)。與傳統(tǒng)的6英寸產(chǎn)線相比，8英寸大晶圓在成本控制和產(chǎn)能規(guī)模上更具優(yōu)勢，更符合消費電子市場對性價比的極致追求。三星不僅負責晶圓制造，還實現(xiàn)了GaN外延片的自主生產(chǎn)，構建了除芯片設計外的垂直生態(tài)。這意味著客戶可以獲得從材料到制造的一站式代工服務，加速產(chǎn)品上市周期。

初期，該產(chǎn)線將主要面向手機快充、數(shù)據(jù)中心電源等中低壓應用場景。盡管初期營收規(guī)模預計相對有限（低于1000億韓元），但這是三星切入快速增長的新能源與工業(yè)電源市場的必經(jīng)之路。

在GaN主攻中高頻、高效率場景的同時，三星計劃在2026年第三季度左右啟動碳化硅（SiC）功率半導體的樣品量產(chǎn)。首批樣品將鎖定技術相對成熟的平面型SiC MOSFET，重點瞄準新能源汽車主驅逆變器、工業(yè)電機等高壓高可靠性領域。

這一“GaN+SiC”的組合拳，讓三星具備了覆蓋全電壓范圍功率器件的能力。對于深圳及珠三角的電源與新能源終端廠商而言，這提供了除英飛凌、安森美之外的又一個國際大廠供應鏈選擇，特別是在車規(guī)級功率器件的第二供應商驗證上多了一個選項。

三星入局GaN/SiC代工，將直接加劇與DB HiTek等本土廠商，以及英飛凌、Wolfspeed等國際巨頭的競爭。對于下游客戶，特別是消費類電源廠商，8英寸GaN產(chǎn)能的釋放有望在中期帶來成本的優(yōu)化。然而，車規(guī)級SiC的驗證周期較長，其實際產(chǎn)能對2026年市場的直接影響可能有限，更多是長周期的供應鏈備胎準備。