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全球第三大硅片供應(yīng)商環(huán)球晶圓（GlobalWafers）正式宣布啟動大規(guī)模產(chǎn)能擴(kuò)充計劃——將分階段推進(jìn)硅片整體產(chǎn)能提升30%，并在化合物半導(dǎo)體板塊額外新增20%氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，以緩解2026年因AI服務(wù)器爆發(fā)式增長及智能機(jī)器人普及所帶來的上游材料供應(yīng)緊張困局。

此番擴(kuò)產(chǎn)的直接驅(qū)動力來自下游需求的劇烈分化與升級。AI服務(wù)器內(nèi)部的高效能電源模塊及800V HVDC架構(gòu)對GaN功率器件需求激增，導(dǎo)致上游GaN外延片與襯底持續(xù)滿載，部分客戶交期已顯著拉長；與此同時，12英寸硅片受先進(jìn)封裝與HPC拉動同樣處于滿產(chǎn)狀態(tài)，小尺寸硅片（8英寸/6英寸）在機(jī)器人關(guān)節(jié)控制、工業(yè)MCU及功率器件復(fù)蘇帶動下，產(chǎn)能能見度延伸至2026年第三季度。環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭明確指出，AI與機(jī)器人相關(guān)的高效電源應(yīng)用已成為化合物半導(dǎo)體成長的最強(qiáng)引擎，現(xiàn)有產(chǎn)線已無余裕承接新單，擴(kuò)產(chǎn)勢在必行。

值得關(guān)注的是，環(huán)球晶圓采取的是"分階段、多基地同步"策略——美國德州與密蘇里州新廠、意大利Novara 12英寸SOI線、日本宇都宮外延產(chǎn)線均納入擴(kuò)產(chǎn)版圖，并輔以《芯片法案》（CHIPS Act）及歐盟政府補貼支持，降低資本開支壓力。其中GaN產(chǎn)線在完成首批約30%擴(kuò)產(chǎn)后，現(xiàn)階段正推進(jìn)剩余約20%新增產(chǎn)能，預(yù)計2026年底前陸續(xù)到位，優(yōu)先保障數(shù)據(jù)中心與高階機(jī)器人電源模組的材料供應(yīng)。

對于產(chǎn)業(yè)鏈而言，環(huán)球晶圓的激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)一方面有助于平抑硅片潛在漲價預(yù)期、縮短交期，另一方面也釋放出明確信號，化合物半導(dǎo)體正從汽車/工業(yè)主戰(zhàn)場，加速向AI基礎(chǔ)設(shè)施核心供電鏈路滲透。這批產(chǎn)能在2026下半年至2027年逐步爬坡，全球AI服務(wù)器與機(jī)器人供應(yīng)鏈的"材料短板"有望得到階段性修補。